化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition) 简称CVD, 是利用气态的先驱反应物，通过原子、分子间化学反应的途径生成固态薄膜的技术。
特别值得一提的是，在高质量的半导体晶体外延技术以及各种绝缘材料薄膜的制备中大量使用了化学气相沉积技术。比如，在MOS场效应管中，应用化学气相方法沉积的薄膜就包括多晶Si、 SiO2、SiN等。
CVD所涉及的化学反应类型：
1.热解反应
2.还原反应
3.氧化反应
4.化合反应
5.歧化反应
6.可逆反应
CVD化学气相沉积装置，一般来讲，CVD装置往往包括以下几个基本部分：
(1)反应气体和载气的供给和计量装置;
(2)必要的加热和冷却系统;
(3)反应产物气体的排出装置。
化学气相沉积(CVD)的工艺方法及特点
各种CVD装置都包括以下主要部分，即加热部分，反应室，气体控制系统，气体排出系统，如图所示。
影响CVD薄膜的主要参数：
1. 反应体系成分
2. 气体的组成
3. 压力
4. 温度
最基本的CVD装置：
高温和低温CVD装置
低压CVD (LPCVD)装置
等离子体增强CVD(PECVD)装置
激光辅助CVD装置
金属有机化合物CVD (MOCVD)装置
CVD 和 PVD 的区别：
客服1