真空沉积技术概述

“真空沉积技术”是指在高真空环境中，利用各种工艺在基板上沉积多种成分的薄膜。这个过程涉及三个关键要素：源、传输过程和衬底。薄膜的特性受到多种参数的影响，如沉积温度、基板性质、真空室内残余气体成分及沉积速率。

物理气相沉积（PVD）

PVD技术涵盖多种方法，主要包括：

· 热蒸发：材料在热作用下蒸发并凝结于低温基板上。

· 磁控溅射：固体靶材通过离子轰击升华，形成高纯度、均匀的薄膜。

· 脉冲激光消融术：激光蒸发靶材，形成高纯度薄膜。

· 阴极电弧沉积：高温电弧蒸发材料，适合快速沉积。

PVD广泛应用于半导体、切削工具、装饰涂层等领域。

化学气相沉积（CVD）

CVD通过挥发性气体在衬底上反应形成薄膜，其优势在于可在非真空环境中操作。主要变体包括：

· 微波等离子体辅助CVD（PECVD）：使用等离子体提高反应速率，适合低温沉积。

· 原子层CVD（ALCVD）：实现分层沉积，适用于高精度需求。

· 金属有机CVD（MOCVD）：基于金属有机前驱体的分解。

CVD技术广泛应用于半导体制造、光学镀膜等领域。

结论

真空沉积技术在多种工业应用中发挥着重要作用。选择合适的沉积方法（如PVD或CVD）取决于所需薄膜的特性和应用需求。