产品简介
小型单靶等离子溅射镀膜仪是我公司研发的实验室用小型镀膜仪（基础型），PLC控制系统，全部触摸屏操作操作简单便捷，小型单靶等离子溅射镀膜仪可溅射Au、Ag、Cu，广泛用于SEM样品制备或金属镀膜试验。
产品详细信息
○ 产品介绍
WY-PSP180G-TA小型单靶等离子溅射镀膜仪采用二级溅射方式，低温等离子体溅射工艺，镀膜过程中无高温，不易产生热损伤。该小型等离子溅射仪使用PLC控制系统，全部触摸屏操作，便于学习使用。
○ 适用范围
广泛用于SEM样品制备或金属镀膜试验。
○ 产品特点
1：二级低温等离子体溅射工艺
2：PLC控制系统，全部触摸屏操作。
3：体积小巧造型美观。
○ 技术参数
产品型号
WY-PSP180G-TA
外形尺寸
500×320×470mm
重量
30kg
电源
220V 50Hz
输入功率
1500W（含真空泵）
输出电压
1200V DC
输出电流
50mA（Max电流）
镀膜腔尺寸
Φ180×210mm
样品台尺寸
Φ100mm
可选购加热型样品台，温度可高达500℃，*长溅射时间不可超过5分钟
真空泵
双极旋片真空泵，1.1L/s（4m3/h）
进气口
装有精密可调针阀，得以方便的调节进气量
靶材尺寸
Φ50mm，厚度0.5~3mm
靶材材质
可选Au、Ag、Pt、Cr、Ni
包装
三合板木质包装
离子溅射仪，是采用离子溅射的方式进行镀膜的仪器。离子溅射仪的基本构成包括离子源、加速器、靶材、基底和真空系统。离子源是产生离子束的装置，加速器是将离子束加速到高能的装置，靶材是被轰击的物质，基底是沉积薄膜的物质，真空系统是保证离子束在真空环境下传输的装置。
原理：用带有几百电子伏特以上动能的粒子或粒子束轰击固体表面，使靠近固体表面的原子获得入射粒子所带能量的一部分而脱离固体进入到真空中，这种现象称为溅射。
溅射一般是在辉光放电过程中产生的，辉光放电是溅射技术的基础。
辉光放电：真空度为10-1~10-2 Torr，两电极间加高压，产生辉光放电。电流电压之间不是线性关系，不服从欧姆定律。
溅射率是描述溅射特性的一个最重要物理参量。它表示正离子轰击靶阴极时，平均每个正离子能从阴极上打出的原子数。又称溅射产额或溅射系数，常用S表示。
溅射率与入射离子的种类、能量、入射角度及靶材的类型、晶格结构、表面状态、升华热大小等因素有关，单晶靶材还与表面取向有关，如下：
二、影响溅射率的因素
（1）靶材料
溅射率与靶材料种类的关系可用靶材料元素在周期表中的位置来说明。在相同条件下，用同一种离子对不同元素的靶材料轰击，得到不相同的溅射率，并且还发现溅射率呈周期性变化，其一般规律是：溅射率随靶材元素原子序数增加而增大(同一周期)，下图为溅射率与靶材元素原子序数的关系曲线。
关于溅射靶材：溅射靶材通常作为离子溅射、磁控溅射、偏压溅射或射频溅射系统在适当的工艺条件下溅射在基板上形成各种功能膜材料的溅射源，更换不同材质的靶材，可得到不同类型的膜特性。高纯度靶材一般可以与各种台式溅射仪进行兼容，离子溅射仪用于在非导电样品上溅射一层纳米级的导电涂层，以便扫描电子显微镜对这些样品进行研究。
在封闭腔室中，放置阳极靶材，充入气体，保持一定的真空度，在阳极和阴极之间加载高压，会发生辉光放电现象。电离的气体离子会轰击、侵蚀阳极靶材。靶材原子会因此向四周扩散，并在样品上沉积，最终在样品表面形成一个均匀的镀层。这个镀层可以抑制荷电，减小热损伤，提高二次电子产率，从而改善扫描电镜观察效果。
平时使用时，最常见靶材的是金靶。正是这个原因，离子溅射仪也俗称“喷金仪”。然而，为了获得更细小的晶粒尺寸、更薄的连续镀层，有时候也会使用其他靶材（比如铬、铂金、铜）。这些靶材对真空度的要求更高，需要额外配置分子泵方可达到要求。
关于溅射靶材的使用寿命受多种因素影响，如材料质量、靶材类型、喷涂过程参数等。一般来说，喷金仪靶材可以使用几十个小时到上百个小时不等，但具体时间还需根据具体情况而定。在使用过程中，靶材表面会随着喷涂过程的进行而逐渐被烧蚀和损耗，直到无法继续使用。因此，在使用喷金仪时，需要经常检查靶材的使用情况，及时更换磨损严重的靶材，避免因靶材使用寿命到达而导致喷涂效果下降。此外，为延长靶材使用寿命，还可以采取一些有效的措施，如控制喷涂工艺参数、使用高质量的靶材、合理选择靶材类型等。这样做不仅可以延长靶材的使用寿命，还能提高喷涂效果和加工效率。
（2）入射离子能量
入射离子能量大小对溅射率影响显著。当入射离子能量高于某一个临界值(溅射阈值)时，才发生溅射。下图为溅射率S与入射离子能量E之间的典型关系曲线。
溅射率S最初随轰击离子能量的增加而指数上升；其后出现一个线性增大区，并逐渐达到一个平坦的最大值并呈饱和状态；如果再增加E则因产生离子注入效应而使S值开始下降。
用Ar离子轰击铜时，离子能量E与溅射率S的典型关系曲线可分成三部分：
I、没有或几乎没有溅射的低能区域；
II、E=70～10keV，这是溅射率随离子能量增大而增大的区域，用于溅射淀积薄膜；
III、E＞30keV，溅射率随离子能量的增加而下降。
下图中能量范围扩大到100keV，这一曲线可分成三部分：
如前所述，这种下降据认为是由于轰击离子此时深入到晶格内部，将大部分能量损失在靶材体内，而不是消耗在靶表面的缘故。轰击离子愈重，出现这种下降时的能量值就愈高。
（3）入射离子种类
溅射率与入射离子种类的关系：
1) 依赖于入射离子的原子量，入射离子的原子量越大，则溅射率越高；
2) 与入射离子的原子序数有关，呈现出随离子的原子序数周期性变化的关系。这和溅射率与靶材料的原子序之间存在的关系相类似。
3) 在周期表每一横排中，凡电子壳层填满的元素作为入射离子时，就有最大的溅射率。因此，惰性气体的溅射率最高。一般情况下，入射离子多采用惰性气体，同时还能避免与靶材料起化学反应。通常选用氩为工作气体。下图是溅射率与入射离子的原子序数的关系图。
（4）入射离子的入射角
入射角是指离子入射方向与被溅射靶材表面法线之间的夹角。如下图——Ar+的入射角与几种金属的溅射率的关系可见：
表明：对于不同的靶材和入射离子而言，对应的最大溅射率S值，有一个最佳的入射角θm。
（5）靶材温度
溅射率与靶材温度的依赖关系，主要与靶材物质的升华能相关的某温度值有关：在低于此温度时，溅射率几乎不变；超过此温度时，溅射率将急剧增加。因此，在溅射时，应注意控制靶材温度，防止出现溅射率急剧增加现象的产生。(以保证溅射率不突变)
三、溅射镀膜的优点与缺点
溅射镀膜的优点
1、任何物质均可以溅射，尤其是高熔点、低蒸气压元素和化合物。不论是金属、半导体、绝缘体、化合物和混合物等，只要是固体，不论是块状、粒状的物质都可以作为靶材。由于溅射氧化物等绝缘材料和合金时，几乎不发生分解和分馏，所以可用于制备与靶材料组分相近的薄膜和组分均匀的合金膜，乃至成分复杂的超导薄膜。此外，采用反应溅射法还可制得与靶材完全不同的化合物薄膜，如氧化物、氮化物、碳化物和硅化物等。
2、溅射膜与基板之间的附着性好。
（1）溅射原子的能量比蒸发原子能量高1-2个数量级，因此，高能粒子淀积在基板上进行能量转换，产生较高的热能，增强了溅射原子与基板的附着力。
（2）一部分高能量的溅射原子将产生不同程度的注入现象，在基板上形成一层溅射原子与基板材料原子相互“混溶”的所谓的扩散层。
（3）在溅射粒子的轰击过程中，基板始终处于等离子区中被清洗和激活，清除了附着不牢的淀积原子，净化且活化基板表面。因此，使得溅射膜层与基板的附着力大大增强。
3、溅射镀膜密度高，针孔少，且膜层的纯度较高。因为在溅射镀膜过程中，不存在真空蒸镀时无法避免的蒸发源污染现象。
4、膜厚可控性和重复性好。由于溅射镀膜时可通过控制靶电流来控制膜厚。所以，溅射镀膜的膜厚可控性和多次溅射的膜厚再现性好，能够有效地镀制预定厚度的薄膜。
5、溅射镀膜还可以在较大面积上获得厚度均匀的薄膜。
溅射镀膜的缺点(主要是二极溅射)
1、溅射设备复杂、需要高(电)压装置；
2、溅射淀积的成膜速率低(真空蒸镀淀积速率为0.1—5μm／min，而溅射速率则为0.01一0.5μm／min)。
3、基板温升较高，易受杂质气体影响。由于射频溅射和磁控溅射技术的发展，在实现快速溅射淀积和降低基板温度方面已获得了很大的进步。
四、行业应用：
半导体芯片、光电器件、传感器、OLED等不同行业。（本人从事SEM相关实验，属于材料研发）
五、改善喷金效果的几个技巧：
1、腔室一定要保持干净！如果可以的话，不要在喷金仪的腔室中进行蒸碳操作，最好用另一台设备进行蒸碳。（防止蒸碳污染溅射仪腔室）。
2、可以用热肥皂水定期清洁腔室，并充分干燥。不建议使用试剂，这可能会影响健康安全。如果沉积物太顽固，可以考虑使用厨房百洁布（比如思高、3M、妙洁）。
3、可以使用异丙醇清洗金属表面。但不要用丙酮，它不仅会影响健康安全，而且更难回姂干净，会影响真空性能。
4、千万不要在没有隔断真空泵的情况下，让溅射腔长时间处于真空状态。通常情况下，手动操作阀门可以隔断真空泵与腔室。如果没有阀门隔断，隔膜泵的泵油可能会回流，污染溅射腔室。
5、确保设备干燥。开始溅射前，设备要抽到要求的真空度。否则，会明显影响溅射响效率，并带来污染。
6、把机械泵固定在一个牢固的基台上。并记得定期维护机械泵。
7、溅射气体：请使用高纯氩气（> 99.999%），这可以确保更快的溅射速率和更短的抽气时间。
8、如果想在表面不规则的样品上获得均匀的溅射镀层，最好使用行星式旋转样品台。
产品价格： < 面议
产品型号：WY-PSP180G-TA
品牌：微仪真空
公司名称：深圳微仪真空技术有限公司
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